九年沉寂一朝爆发：长鑫科技半年赚回366亿亏损

撰文 | 大卫

编辑 | 茶茶

5月17日，国产DRAM龙头企业长鑫科技集团股份有限公司更新了科创板IPO招股说明书。一组数字，震动了整个资本市场。

2026年第一季度，长鑫科技实现营业收入508亿元，同比增长719.13%，实现净利润330.12亿元，较去年同期亏损约28.25亿元而言，净增长近360亿元。按90天计算，这家成立近十年的芯片公司，今年一季度日均净利润已接近4亿元。半年度的预计数据更为震撼：2026年上半年，公司预计实现营业收入1100亿元至1200亿元，同比增长612%至677%，实现归母净利润500亿元至570亿元，同比增长超过22倍。

这样的业绩，让长鑫科技以“一天赚近4个亿”的姿态，超过了贵州茅台的赚钱能力。而就在不到一年前，这家公司仍在亏损的泥潭中挣扎。

2016年，安徽省合肥市与兆易创新创始人朱一明联手启动长鑫存储项目，一期总投资180亿元。此后的近十年，这条道路走得极其艰难。截至2025年12月31日，长鑫科技累计亏损高达366.5亿元。2023年亏损163.4亿元，2024年亏损71.45亿元，外界关于“烧钱无底洞”的嘲讽从未间断。

转机出现在2025年。这一年，长鑫科技实现营收617.99亿元，同比增长约155%，归母净利润首次转正为18.75亿元，较此前市场预期提前实现了盈利。进入2026年，业绩增速骤然换挡为火箭般的斜率，一季度营收超过2025年全年营收的八成。

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从产能闲置到日赚四亿，谁是背后的推手

如此惊人的业绩反转，根源在于“存储超级周期”的到来。2025年以来，AI算力产业高速发展，大模型训练与推理需求爆炸式增长，对存储芯片的需求呈现指数级飙升。据CFM闪存市场数据，2025年全球DRAM/NAND Flash市场规模首破2000亿美元，2026年预计突破6000亿美元，存储产业进入史诗级黄金周期。

AI服务器成为需求核心。群智咨询的最新数据显示，2026年全球AI服务器出货量预计约为370万台，同比增长51.3%。一台AI服务器的DRAM用量是传统服务器的数倍，而HBM（高带宽内存）更是成为制约算力上限的关键资源。

需求暴涨之下，供给端却出现了明显的结构性错配。三星、SK海力士等国际存储巨头将大量先进制程产能转向利润更高的HBM产品，大幅压缩了常规DRAM的产能供给，市场上通用DRAM供给缺口迅速扩大。供给紧张导致DRAM价格持续暴涨——64GB DDR5 RDIMM的现货价格从200多美元飙升至2500美元以上，暴涨超过10倍。业内人士普遍预计，本轮行业景气周期有望延续至2027年年中。

对长鑫科技而言，这无疑踩中了历史性的窗口。公司长期积累的技术能力在超级景气周期中迎来了价值兑现：采取 “跳代研发”策略，已完成四代工艺平台量产，产品覆盖 DDR4 到 DDR5/LPDDR5X 全系列，核心产品达国际先进水平。其全球市场份额从 2025 年第二季度的 3.97% 跃升至第四季度的 7.67% ，半年翻倍，跃居全球第四。产能方面，公司在合肥、北京布局 3 座 12 英寸晶圆厂，是中国规模最大、技术最先进的存储 IDM 企业。

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冲刺科创板重塑全球存储格局

在业绩爆发的同步，长鑫科技正加速冲刺科创板IPO。此次IPO由中金公司、中信建投联合保荐，是科创板首单适用“预先审阅”制度的IPO项目，拟募资295亿元。从募资规模来看，有望成为科创板开板以来规模第二大的IPO，仅次于中芯国际。

此次募资中，130亿元用于长鑫存储二期晶圆制造项目，90亿元用于下一代DRAM前瞻技术研究与开发，75亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造。产能扩建计划明确：长鑫计划将月产能从当前20余万片提升至30万片以上，预计2026年现有三厂产能全部达产。

在估值层面，市场的想象空间已经打开。有分析认为，若2026年全年利润达到1000亿元规模，按50倍市盈率估算，长鑫科技IPO估值或接近5万亿元，有望刷新A股“股王”。即便保守估计，市场普遍认为其估值将超过2万亿元。今年一季度，长鑫科技的归母净利润规模在全部A股公司中已排名第13，仅次于工商银行、中国移动、贵州茅台等传统巨头。

从盈亏逆转的速度来看，这种估值想象并非空中楼阁。 2026 年一季度单季归母净利润达 247.62 亿元，而公司截至 2025 年底的累计亏损仅为 366.5 亿元——仅仅一个季度就收回了三分之二的“历史欠账”，上半年预计归母净利润 500 亿元至 570 亿元，意味着半年即可全面抹平近十年的巨额亏损。这样的盈利能力，在近二十年的中国资本市场中极为罕见。

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冲刺科创板重塑全球存储格局

长鑫科技的业绩爆发，固然是AI时代存储超级周期赋予的时代红利，但狂欢背后，三个维度的挑战仍不容忽视。

第一是周期性风险。存储行业本质上是强周期性行业，其价格波动幅度远超其他半导体品类。若未来供需格局逆转、价格回落，当前的高增长态势将面临剧烈收缩。长鑫科技2025年毛利率为41.02%，而三星等巨头的毛利率水平远高于此。当潮水退去，盈利能力的韧性将面临真正考验。

第二是技术代差。尽管长鑫科技已将技术与国际头部厂商的差距缩短至不到三年，但代差依然存在。长鑫最先进制程为19nm DDR5，而三星等巨头已量产10nm级芯片。HBM领域，长鑫2024年才量产HBM2，HBM3计划2026年投产，与三星、SK海力士合计占据HBM市场90%以上份额的格局相比，短期内追赶难度依然巨大。

第三是外部环境的不确定性。美国对华半导体设备出口管制持续收紧，EUV光刻机等关键设备获取受限。核心技术产品的国产替代虽在推进，但高纯度前驱体、光刻胶等上游材料仍有约60%依赖进口。这将直接影响产能扩张和技术迭代的节奏。

不过，从更长远的时间维度来看，AI驱动的存储需求增长具有不可逆性。据Omdia数据，全球DRAM市场规模有望从2025年的1505亿美元增至2030年的5710亿美元，年均复合增长率达30.56%。长鑫科技能否将这一轮爆发式的周期红利转化为长期的研发投入、产能储备和市场地位，将决定它未来在全球存储产业版图上的真正坐标。从“国产替代”到“全球玩家”，这条道路才刚刚迈出第一步。

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