投资者内参丨易烊铭
据媒体报道,国内存储芯片龙头长鑫科技(SH:688825)已开始小批量生产先进高带宽内存HBM3E,这一里程碑或将缓解我国自主研发AI处理器面临的关键制约。
HBM3E是一种先进的高带宽内存,广泛应用于目前众多领先的AI处理器中。
长鑫科技小批量量产HBM3E意味着,目前其与全球存储芯片头部企业三星、SK海力士和美光科技即将大规模量产的内存产品仅有一代的差距。
据了解,长鑫科技计划在2027年扩大HBM3E的生产规模。
据媒体披露,阿里巴巴、寒武纪等企业正在测试该内存与自家处理器的兼容性。若一切顺利,上述企业最早将于明年在自家产品中使用该产品。
长鑫在HBM领域里的最新进展是中国存储芯片行业的一次重大突破。
AI浪潮对内存和闪存等存储芯片的需求激增,但在最先进的存储芯片以及关键设备领域,我国一直饱受西方国家打压限制。早在2024,美国就对中国出口HBM进行了限制。
长鑫科技成立于2016年,主营DRAM产品研发设计和销售。截至目前,长鑫已是中国第一、全球第四的DRAM厂商。
先进HBM比DRAM等传统内存更难制造。HBM需要将多个DRAM芯片进行制造、堆叠和封装,每一步都增加了失败的可能性。层数越多的产品,生产难度也逐级递增。
虽然长鑫在HBM3E生产上取得了重大进展,但其在HBM技术上目前仍落后于领先的内存芯片制造商如三星、SK海力士三至五年。据了解,英伟达主要内存供应商SK海力士早在2024年就已开始大规模生产HBM3E。
HBM3和HBM4这样的编号版本标志着主要代际,其中"E"则代表前一代的更快版本。
今年7月27日,长鑫科技正式在科创板上市,实际募资额579.19亿元,主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目等。
8月28日晚间,长鑫科技发布上市以来首份半年报。
财报显示,2026年上半年,长鑫科技实现营业收入1503.10亿元,同比增长873.64%;归母净利润776.05亿元,去年同期亏损23.32亿元,实现扭亏为盈;经营现金流净额1311.56亿元,同比增长近30倍,主营业务毛利率冲高至84.84%。
截至发稿,长鑫科技最新市值达3.87万亿元,登顶A股市值榜榜首。
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