直击CSEAC 2026：盛美上海亮出“技术矩阵”，从FOPLP电镀到原子级制造破解AI芯片之困

2026年8月31日至9月2日，第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）在无锡太湖国际博览中心盛大举行。盛会期间，盛美上海深度参与同期举办的“2026中国电子专用设备工业协会半导体设备年会”及多场专题研讨会，集中展示了公司在薄膜沉积、先进制程清洗及人工智能赋能电子制造等关键技术领域的最新突破与产业化实践，共同推动半导体制造技术向更高精度、更优性能的方向持续演进。

AI芯片封装加速演进，FOPLP与差异化电镀技术构筑产业新动能

在人工智能与电子制造设备发展论坛上，盛美上海工艺资深副总裁贾照伟以《面向AI芯片的先进封装FOPLP与电镀技术的机遇与挑战》为题发表主题演讲，深度解析了AI驱动下先进封装的产业趋势，以及面板级扇出封装（FOPLP）技术的核心价值与技术难点，并分享了盛美上海以自研差异化技术破解行业痛点的实践与成果。

盛美上海工艺资深副总裁贾照伟

贾照伟指出，AI与高性能计算（HPC）需求的持续释放，正在推动全球先进封装市场以远超行业整体的速度扩张。作为扇出型晶圆级封装（FOWLP）的延伸，扇出型面板级封装（FOPLP）将多颗芯片与无源器件在大尺寸面板上重新分布并互连集成。但从传统圆片工艺转向方形面板工艺，产业也面临着全新的技术挑战，一是电镀均匀性控制难；二是细间距凸点倒装制程后的助焊剂清洗瓶颈；三是边缘工艺与大尺寸适配难。

针对FOPLP产业链的核心痛点，盛美上海打造了覆盖电镀、真空助焊剂清洗、边缘刻蚀的全流程面板级封装设备矩阵，以差异化专利技术实现工艺突破，加速面板级封装的量产落地。例如盛美推出的水平电镀系统采用专利多阳极控制技术（中国台湾专利号I912536，其他地区专利在审），通过分区调控电场分布，配合面板同步运动设计，实现了面板全域的均匀电镀，从根源上解决了方形面板边缘效应与电场控制难题。

针对Chiplet架构下细间距凸点的助焊剂清洗痛点，盛美研发的Ultra C vac-p真空助焊剂清洗设备，通过真空环境打破液体表面张力限制，让清洗液充分渗透至20μm级的凸点间隙，大幅提升清洗效率。

在面板边缘处理环节，盛美面板级边缘湿法刻蚀设备配备精准光学对中装置、高速实时精准喷嘴位置控制技术，刻蚀精度可达±1mm，边缘刻蚀范围可在0-20mm间灵活调控；采用真空式卡盘，面板搬运稳定性高，可适配±10mm翘曲。设备最多可配置6个工艺腔，支持正反面刻蚀，铜刻蚀工况下每小时产能可达40片，满足量产线的高效需求。

“AI时代的产业机遇，离不开全产业链的协同创新。”贾照伟在演讲尾声表示，盛美将持续加大研发投入，深耕面板级封装等前沿赛道，以更成熟的设备方案和更稳定的工艺能力，助力全球半导体封装产业的技术升级与成本优化。

破解三维结构困局，直面先进湿法清洗工艺技术挑战

盛美上海工艺副总裁王文军在先进制程清洗技术及设备专题研讨会上发表了以《先进湿法清洗工艺技术挑战及发展方向》为主题的演讲，分享了先进湿法清洗工艺的技术挑战和未来发展方向，以及盛美上海的解决方案。

盛美上海工艺副总裁王文军

王文军指出，“随着逻辑芯片进入3nm及以下节点、3D NAND突破200层、DRAM深宽比持续增大，芯片结构加速向微细化、三维化和高深宽比发展。芯片制造技术的发展为装备和技术提供了新的发展机遇，但同时也面临着从平面尺寸向三维结构发展的重大范式挑战。先进节点的湿法工艺作为半导体制造的核心工序，贯穿了芯片制造全流程。目前先进节点湿法工艺面临三大共性挑战：一是纳米颗粒的高效无损去除，需兼顾清洗效率与结构完整性；二是三维结构内部的多维度刻蚀均匀性问题，不仅要解决微观结构内部横向和纵向的刻蚀均匀性，还要解决晶圆内和晶圆间的一致性问题。三是需要抑制干燥过程中晶圆表面或图形结构局部出现的弯曲、变形和粘连。”

围绕上述先进制程中湿法工艺的三个难点，盛美上海经过多年技术攻关，已推出一系列具有自主知识产权的关键湿法解决方案。据王文军介绍，三维结构清洗面临着颗粒缺陷容忍度低、深宽比提升导致清洗介质与外场作用难以有效传递，以及脆弱结构易发生损伤等挑战，传统清洗难以兼顾低损伤与高颗粒去除率。盛美上海的SAPS/TEBO兆声波+稀释药液单片清洗技术可同时实现两项指标，此外FW（Function Water）提供微纳气泡及弱碱性环境协同SAPS/TEBO，能够有效提升清洗效率并降低材料损失和图形损伤。

“三维结构刻蚀中化学反应可控性较差，影响良率。传统槽式刻蚀采用溢流方式，但面对3D NAND的三维深孔结构时，刻蚀速率极低，且副产物易导致堵孔。盛美上海提出了强化气泡边壁液膜压缩-尾涡湍动协同强化刻蚀思路，实现了气泡大小和气泡间隔的动态调控。该技术支撑研制了搭配脉冲式气泡强化技术的国产高端三维存储芯片湿法刻蚀装备，解决了超高层3D NAND氮化硅刻蚀难题，另外在干燥环节，目前盛美上海的超临界设备已经给国内头部的逻辑芯片企业和存储芯片企业都完成了Demo阶段的验证，可以实现高深宽比图形的零粘连清洗干燥。”王文军说道。

面向亚3nm节点，构建原子级制造技术矩阵

盛美上海工艺副总裁金一诺出席薄膜沉积技术、制程及设备专题研讨会，并发表题为《面向亚3纳米节点的集成电路原子级制造技术矩阵》的演讲，围绕先进节点制造趋势、薄膜原子级沉积技术以及湿法原子级刻蚀技术等内容，分享了盛美上海的技术探索与产业实践。

盛美上海工艺副总裁金一诺

金一诺指出，随着逻辑节点向2nm及以下演进，集成电路制造尺寸逐渐逼近物理极限，传统加工精度已触及原子尺度。与此同时，器件结构由平面走向三维，GAA、CFET及背面供电等技术持续发展，制造复杂度进一步提升。AI及大模型快速发展，也对芯片功耗、集成度和算力提出了更高要求。

金一诺在演讲中强调：“集成电路的未来，不仅在于‘造得更小’，更在于‘控得更准’。”原子级制造涵盖原子级构筑与原子级去除，包括原子级沉积、原子级刻蚀等技术。金属互连是原子级制造的重要应用方向。随着互连线宽不断缩小，电子散射加剧，传统铜互连面临电阻上升、电迁移失效及复杂三维结构填充等挑战。在铜互连阻挡层方面，ALD TaN能够在复杂三维沟槽内实现超过95%的台阶覆盖率。相同厚度下，采用ALD技术可将通孔电阻率降低30%，同时扩大工艺窗口并提升良率。

针对3nm以下节点传统电镀工艺面临的种子层不连续、纳米空洞及添加剂扩散受限等问题，电化学原子层沉积铜（E-ALD Cu）通过液相自限制的欠电位沉积，实现逐原子层连续生长，为纳米沟槽无缝填充提供了新的技术路径。与此同时，钼（Mo）、钌（Ru）等新型互连金属由于电子平均自由程较短，且工艺整合中不需要阻挡层，有望降低极小尺寸互连结构的电阻率。其中，Mo的电子平均自由程约为15nm，低于铜的39nm；ALD Mo可在亚10nm窄沟槽内实现无空洞保形填充，为3nm以下节点互连材料演进提供新的选择。

金一诺表示，随着先进节点持续推进，原子级制造技术在集成电路制造中的应用占比将不断提升。亚3nm节点已难以依靠单一工艺实现突破，而需要新材料导入、薄膜生长与材料去除等全流程协同，原子级制造也将由“单点工艺”走向“技术矩阵”。盛美上海将依托现有湿法刻蚀、电镀及化学气相沉积等产品技术平台，进一步拓展面向3nm及以下节点的原子级制造技术。

AI浪潮重塑全球半导体格局，盛美上海以差异化创新稳步前行

在2026中国电子专用设备工业协会半导体设备年会上，盛美上海工艺副总裁金一诺发表了题为《AI浪潮重塑半导体格局：先进工艺革新与盛美差异化之路》的主旨演讲。他从全球市场变局、尖端工艺挑战、公司技术创新及平台化全球化战略等多个维度，系统阐释了盛美对行业趋势的洞察与实践路径。

AI算力的爆发式增长，不仅重塑了封装形态，更对逻辑、存储及先进制造全链条提出了严苛的工艺升级要求。金一诺表示，算力迭代正倒逼整个产业链加速革新：逻辑芯片向2nm、3nm及CFET架构演进；DRAM向更小单元尺寸及3D-DRAM方向发展；3D NAND层数持续攀升，2026年有望突破500层。在先进制程逼近物理极限的背景下，行业挑战已不再局限于结构制造本身，无损伤清洗干燥、纳米级颗粒去除、高深宽比结构处理及新型材料适配，正成为制约良率和性能的核心痛点。

面对行业痛点，盛美上海依托差异化原创技术，给出了覆盖清洗与电镀关键环节的解决方案。金一诺介绍，在清洗领域，盛美拥有SAPS、TEBO第二代兆声波技术、超临界CO₂干燥、单片SPM、Tahoe槽式单片混合清洗、N₂鼓泡等多项专利技术，既能高效去除微小颗粒，又可避免精细结构坍塌损伤，同时降低化学品消耗与二氧化碳用量，兼顾良率与工厂运营成本；电镀业务则实现从晶圆纳米互连到面板级封装的全覆盖，凭借多阳极局部电镀、真空预湿两大核心技术，攻克大尺寸面板电镀均匀性难题，面板级电镀设备更斩获国际3D InCites技术创新奖，适配CoPoS、HBM、面板封装等AI核心场景。

单点技术突破之上，盛美上海正将差异化优势延伸为平台化的产品矩阵与全球化的市场布局。金一诺表示，目前，盛美上海已搭建起涵盖湿法清洗、电镀、炉管、涂胶显影Track、PECVD、湿法先进封装、面板设备、无应力抛光的完整产品矩阵；临港生产基地持续扩建，规划年产能可达1000台，并配套完整研发产线，支撑产品迭代与客户验证。与此同时，盛美的全球化步伐也在加快：在韩国设立研发中心，服务三星、SK海力士等头部客户，坚持“技术差异化、产品平台化、客户全球化”，致力于让中国制造半导体设备走向全球，向全球前十半导体设备厂商的目标稳步迈进。

在AI与高性能计算重塑半导体产业格局的当下，CSEAC 2026见证了盛美上海以差异化原创技术直面先进制程与封装挑战的系统性布局。从面板级电镀的均匀性突破、三维结构湿法清洗的介质创新，到面向亚3nm节点的原子级制造技术矩阵，盛美不仅回应了当下产业痛点，更为下一代芯片演进提供了技术支撑。而平台化产品体系与全球化研发网络的协同并进，则标志着这家中国设备企业正从单点技术突破迈向系统级竞争力构建。可以预见的是，未来盛美上海将继续以“技术差异化、产品平台化、客户全球化”为航标，在半导体制造新征程中更进一步，服务好全球客户。