中科大副院长雷人言论：美国都研发不出的光刻机，中国永远造不出

2026年10月14日，中国光刻技术领域接连传出值得关注的消息。一边是上海工博会上，国产极紫外光源系统样机公开亮相；另一边是荷兰阿斯麦高管公开反对美国进一步限制对华光刻设备出口。就在中国企业持续推进技术攻关的时候，网络上有关中科大副院长曾断言中国永远造不出先进光刻机的说法，再次引发争议。一个值得深究的问题摆在面前：过去被认为难以跨越的技术门槛，如今究竟发生了哪些变化？

先看国际光刻产业的发展历史。上世纪八九十年代，日本尼康和佳能曾经是全球光刻设备市场的重要竞争者，荷兰阿斯麦当时并没有今天这样的行业地位。进入21世纪后，随着半导体制造向更小线宽发展，阿斯麦通过长期研发、供应链整合和商业合作，逐步建立领先优势。特别是EUV技术走向商业化以后，全球高端光刻装备市场格局发生重大变化。这段历史说明，技术领先地位不是从一开始就固定不变的。

阿斯麦能够成功，也不是荷兰一家企业独自完成全部技术。德国蔡司承担高精度光学系统研发，美国Cymer在极紫外光源领域发挥关键作用，德国通快提供重要激光技术，全球大量供应商共同支撑整机生产。美国虽然没有独立制造同等级EUV整机的企业，却掌握了其中不少重要技术。因此，拿美国没有独立生产EUV整机来证明中国不可能研发成功，既混淆了产业分工，也忽略了技术能力与整机商业化之间的区别。

真正让中国感受到技术限制压力的，是2019年前后不断升级的半导体出口管制。此后，美国持续推动盟友限制先进芯片制造设备对华供应，荷兰也逐步加强部分浸没式DUV设备出口许可管理。对于中国半导体企业而言，困难不仅是买不到某些高端机器，还包括设备维护、关键零部件供应以及后续产线升级的不确定性。正是这些现实问题，推动国产半导体装备研发进入更加紧迫的阶段。

2023年，华为Mate 60 Pro所使用的麒麟9000S芯片引起国际半导体行业关注。相关技术分析指出，这款芯片采用了中芯国际的7纳米级制造工艺，而中国大陆当时并未获得阿斯麦EUV设备。这个案例说明，浸没式DUV结合多重图形化技术，能够支持部分先进制程生产。但必须承认，这种技术路线需要更多制造步骤，对良率、成本和产能都有较高要求，不能简单认定DUV已经完全替代EUV。

2025年12月17日，路透社披露，中国科研团队已经建成一套EUV光刻设备原型系统。报道援引知情人士称，该系统能够产生极紫外光，但尚未实现可用于商业化生产的芯片制造能力。这条消息的重要性，在于国产EUV研发已经进入系统级实验验证阶段，而不再局限于单独讨论某项基础技术。当然，相关项目的详细技术参数没有全面公开，外界仍难以独立评估其整机成熟度。

进入2026年，国产浸没式DUV设备又取得新的进展。7月28日，路透社报道，上海爱芯纳电子科技集团正在推进国产浸没式DUV光刻机生产，并整合了国内多家光刻技术企业的研发力量。报道提及2026年生产约5台、2027年扩大至约20台的计划。不过，这些数字来自匿名消息人士，并不等于已经完成晶圆厂的大规模量产验证。设备能否稳定运行，仍然需要更多实际生产数据支持。

为什么这项进展值得重视？因为浸没式DUV并不是普通的成熟制程设备。它通过在投影光学系统与晶圆之间引入液体，提高光学分辨能力，对光学镜头、液体控制、精密运动平台和套刻精度都有严格要求。国产企业如果能够在这一领域建立可靠的整机制造能力，就意味着中国在复杂光刻系统集成方面取得重要突破。这种能力还可以为后续更先进装备研发积累人才、经验和产业配套。

2026年9月，国际研究机构对中国光刻技术的预测出现明显分歧。据集邦科技9月2日整理的市场研究信息，瑞银相关分析认为，中国浸没式DUV设备可能还需要两至五年才能达到成熟的大规模生产水平，而EUV技术商业化的时间可能更长。这类判断并非没有依据，毕竟实验设备与晶圆厂长期连续运行的生产装备之间存在很大差距。但技术预测不能被当成不可改变的时间表。

真正具有现实意义的新消息出现在10月14日。当天，上海第二十六届中国国际工业博览会上，朗道燧岩公开展示国产EUV光源系统样机。根据《解放日报》相关报道及现场工作人员介绍，这套样机国产化率达到90%，多数核心零部件由国内研发，能够用于芯片曝光测试。需要特别注意，90%属于企业现场披露的数据，尚不能直接理解为整台EUV光刻机已经达到90%的国产化水平。

这套样机的技术路线也值得进一步分析。朗道燧岩采用激光产生等离子体的EUV光源技术，基本原理是利用高能激光作用于特定靶材，产生波长约13.5纳米的极紫外辐射。公开信息显示，企业相关低功率产品已进入产品化阶段，高功率系统仍需继续攻关。现场人员预计，相关光源距离成熟量产可能还需要三至五年，主要困难集中在输出功率、稳定性和长时间连续运行能力。

这里有一个经常被忽略的技术问题：EUV光源能够发光，并不等于它已经适合晶圆厂使用。商业设备需要在较高功率下持续稳定工作，还必须控制光学系统污染、热负荷和设备故障率。光源之外，还有多层膜反射镜、掩模台、晶圆台以及复杂的软件控制系统。任何一项技术不达标，都可能导致整机无法满足生产要求。因此，国产光源样机取得进展是重要成果，但距离完整商业化EUV设备仍有工程挑战。

就在国产光源亮相的同一天，阿斯麦方面传出另一条消息。10月14日，路透社报道，阿斯麦首席财务官罗杰达森公开反对美国国会提出的MATCH法案。该法案计划进一步限制部分DUV光刻设备向中国出口。达森认为，新的限制可能适得其反，加速中国发展竞争性技术。值得注意的是，这并不是普通评论人士的推测，而是全球领先光刻设备企业高管对产业政策的公开判断。

美国为什么仍然希望加强限制？2026年4月提出的MATCH法案，目标之一就是限制中国企业获得尚未实现充分国产替代的关键半导体制造设备。相关限制不仅涉及新设备销售，还可能影响部分设备服务。美国希望通过控制先进制造装备供应，延缓中国高端芯片产业发展。但这种政策也会改变企业的投资决策，促使中国晶圆厂增加国产设备测试，并推动本土供应商扩大研发投入。

对于阿斯麦而言，中国市场同样具有商业价值。路透社7月报道提到，2026年上半年，中国市场约占阿斯麦净销售额的16%。这意味着即使先进EUV设备无法对华出口，其他光刻设备仍然存在市场需求。美国进一步扩大限制范围，可能影响荷兰企业的正常商业经营。由此可见，半导体技术竞争已经不只是科研能力的较量，也涉及市场份额、供应链控制权和国际产业合作利益。

从中国国防科技发展需求来看，光刻机自主化具有更加深远的意义。现代有源相控阵雷达、高速通信设备、电子对抗系统和高性能计算平台，都离不开半导体产业支撑。不过，军用电子设备并不是制程越先进就一定越好。高功率射频芯片、耐高温器件和高可靠性控制芯片，往往更加重视材料性能、环境适应性和长期稳定性。因此，中国发展半导体装备，不能只追求最先进制程，还需要建立完整可靠的制造体系。

还有一个容易被忽视的现实：中国在半导体设备领域并非所有环节都处于同一发展水平。光刻、刻蚀、薄膜沉积、清洗、检测和先进封装，各自面临不同技术难题。即使国产EUV取得突破，如果高端光刻胶、掩模检测或者部分关键零部件依然依赖进口，先进芯片生产仍可能受到影响。真正可靠的自主供应能力，必须建立在整个产业链共同进步的基础上，而不是依靠某一台设备单独完成。

中国科学技术大学近期的一项科研活动，也能说明先进光刻攻关正在向更深入的基础问题延伸。10月9日至11日，第四届先进光刻流体力学研讨会在合肥举办，来自13家高校和科研机构的35位专家参加。会议围绕先进光刻中的流体力学问题开展交流，并讨论如何将基础研究成果用于企业技术攻关。这说明光刻研发不仅涉及光学和机械，还需要解决多学科交叉的复杂工程问题。

这也带来一个重要判断：中国未来能否真正建立先进光刻装备产业，关键不只是投入多少资金，还要看科研机构与制造企业能否形成持续有效的合作机制。高校可以解决基础科学问题，设备企业负责整机设计和制造，晶圆厂通过实际生产提出改进要求。只有形成长期循环，技术成果才能不断成熟。相比单纯宣布某个研发节点成功，这种协作能力更可能决定中国高端光刻设备的发展速度。

未来三至五年，中国光刻产业最值得观察的，不是哪家企业宣布攻克多少项技术，而是国产设备能否在真实晶圆产线上持续运行，能否保持稳定良率，能否逐步降低维护成本，以及能否形成可靠的国产供应链。如果浸没式DUV设备率先建立成熟商业化能力，中国半导体制造业将获得更大的设备采购自主权。EUV技术则需要在光源、光学系统和整机集成方面继续积累。

再看标题中那句所谓中国永远造不出光刻机的判断，其根本问题在于把某一时期的技术差距当成永久结论。2026年的实际进展已经说明，中国相关企业正在不断缩小部分技术领域的差距，但先进EUV整机的成熟商业化仍需要时间。中国发展高端制造业，既不需要依靠未经证实的悲观言论判断前途，也不需要用夸大的突破消息证明实力。真正能够改变产业格局的，是一项项经过验证的技术成果，以及能够持续生产、稳定运行的国产装备。