北京
10月26日，韩国媒体ZDNet Korea报道，三星电子与SK海力士计划从2027年第二季度起，面向英伟达大规模量产并出货8层HBM4。两家公司目前的HBM主力量产产品仍是12层。调整来自英伟达一方，下一代加速器Rubin Ultra原定搭载第七代HBM4E的12层产品。但从2026年第三季度起，英伟达开始并行评估HBM4E 8层、HBM4 12层和HBM4 8层三种方案，可能按Rubin Ultra对应的NVL机架规模，在同一代产品里混合配置两种8层产品。
HBM的做法是把多颗DRAM芯片垂直堆叠，用硅通孔连接，堆得越高，单堆容量越大，制造难度也越高。HBM4把输入输出接口宽度翻倍到2048位，接口变宽本身会抬高热密度，再往上叠到12层，散热和后段键合的累计损耗都在加码，12层的良率爬坡难度明显高于8层。目前两家的12层产品已通过英伟达认证，8层产品还要单独走认证和质量测试。从已披露的信息看，8层认证难度低于12层，再出变数的可能性不大。
8层供货原本不在英伟达的供应计划里，相关讨论从今年第三季度才正式展开。此前市场预期8层产品2026年下半年就能开始供应，实际日程推迟到了明年。
推迟之外还有一笔产能账：2027年DRAM整体供应仍然偏紧，按堆叠层数测算，同样一批DRAM晶圆，8层方案的堆栈数量约为12层方案的1.5倍，降低单堆层数等于用同样的晶圆产出更多堆栈。英伟达要的是把更多机架装满，而不是把每个堆栈做到最大。
资本这一侧的动作在同一周发生。据《首尔经济日报》10月26日报道，SK海力士定于10月28日三季度业绩发布当日，公告50万亿至60万亿韩元的追加股东回报，约合380亿至450亿美元，以特别股息为主，同时评估额外的回购注销。叠加近期已完成注销的40万亿韩元回购，该公司年内股东回报合计将达90万亿至100万亿韩元，约为去年14.3万亿韩元水平的7倍。
支撑来自现金流，多家券商估算该公司今年自由现金流约200万亿韩元，公司既定政策是把其中一半以上用于回购、注销和分红。今年8月公司公告的原话是，"正在研究提升股东价值的追加股东回报方案"。
回报加码的底气是业绩。SK海力士二季度DRAM均价环比上涨30%，NAND均价上涨50%，带动营收环比增长51%、营业利润增长61%。
行情这边，10月27日SK海力士股价涨超7%，三星电子涨超5%。拉长看，SK海力士股价目前报127.5万韩元左右，距离6月22日291.9万韩元的历史收盘高位还有相当差距。股价与高位的落差说明市场对存储周期的持续性仍有分歧，管理层把自由现金流的一半以上返还股东，是对这种分歧的直接回应。
三星电子今年8月已宣布今年股东回报规模预计为90万亿至110万亿韩元，并称将是韩国企业中的最大规模，SK海力士若按上限落地，头衔归属要等最终数字公布。
10月28日的三季度发布会会给出追加回报的具体结构，8层产品的认证进度则决定2027年二季度那个量产时点能不能兑现。按已披露的安排，2026年仍以12层为主，2027年年中之后8层占比扩大，届时报表里两种层数产品的出货结构，会比任何预测都直接。
内容来源：网络综合编辑
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