辽宁
台积电近期开始规划制造 3D DRAM，量产时间未定。把这件事顶上来的，是存储短缺已经紧张到英伟达这种量级的买家也开始主动推着供应商越界。
代工之王为什么要跨界造内存
台积电不是第一次踏进这块地盘。1990 年代到 2000 年代末，它造过常规存储芯片，2008 年才彻底退出。这一次重回存储，是因为整条 AI 供应链卡在了同一个地方：HBM（高带宽内存）把三星、SK 海力士、美光的先进产能都吸走了，普通 DRAM 的供给随之抽紧，美光已经说短缺会持续到 2028 年。内存涨价的压力早就传导到你我买的手机和装机内存条上，这还只是开头。
英伟达 10 月就想让台积电先做定制 HBM 的基底芯片，现在更进一步，直接要台积电自己造 DRAM。这次要造的 3D DRAM，走的是十年前 NAND 闪存「把存储单元往垂直方向堆」的老路，跟 HBM 是两条不同的技术路线；美光上个月刚放弃研究了约 20 年的 4F² 存储单元架构，转头押注 3D。台积电如果真建产线，将直接对上三星、SK 海力士、美光三家存储寡头的核心地盘。美光今年以 18 亿美元收购力积电一座工厂改造 DRAM 产线，台积电的「收购旧厂」方案也是这个思路。
观点：AI 算力的瓶颈已经从逻辑芯片转移到存储，三家存储寡头的霸权是建立在这条供应链上没有第四家能玩的前提下的。台积电带着英伟达的订单和自己的先进封装能力下场，这个前提第一次动摇了。台积电能不能造好量产级 DRAM 还是个问号，但英伟达愿意推着它试，三巨头的定价权从这一刻起就得掂量多一个变数。
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