湖南
存储芯片正迎来由 AI 驱动的超级周期。
据IPO早知道消息，证监会官网显示，国产存储巨头长江存储控股股份有限公司（以下简称“长江存储”）启动上市辅导，正式开启A股IPO进程，辅导机构为中信证券和中信建投。
成立于2016年的长存集团作为一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品于一体的存储器IDM企业，其全资子公司长江存储估值超1600亿元，是半导体行业估值最高的独角兽。
作为长存集团发展的核心引擎，长江存储在存储芯片技术领域屡获突破，斩获多项国际大奖，为产品创新奠定了坚实的技术基础。
2017年10月，长江存储就通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月，搭载长江存储自主创新晶栈 Xtacking架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。2020年4月，长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，拥有发布之时业界最高的I/O速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。
值得一提的是，长江存储自主研发的晶栈Xtacking架构是企业的核心技术王牌，该架构开创性地采用了晶圆键合这一关键技术，在传输速度、存储密度、研发效率及生产周期都具有突破性优势。
这里不妨补充一点，在晶栈Xtacking架构推出前，市场上的3D NAND主要分为传统并列式架构和CuA（CMOS under Array）架构——长江存储通过创新布局和缜密验证，经过长达9年在3D IC领域的技术积累和4年的研发验证后，终于将晶圆键合这一关键技术在3D NAND闪存上得以实现。在指甲盖大小的面积上实现数十亿根金属通道的连接，合二为一成为一个整体，拥有与同一片晶圆上加工无异的优质可靠性表现，这项技术为未来3D NAND带来更多的技术优势和无限的发展可能。随着层数的不断增高，基于晶栈®Xtacking® 所研发制造的3D NAND闪存将更具成本和创新优势。
这一架构凭借独特的设计理念与领先的技术性能，已先后三次斩获FMS奖项，成为全球3D NAND技术领域的重要创新成果。晶栈®Xtacking®4.0创新架构在2025年8月斩获FMS 2025 3D NAND类目“最具创新存储技术奖”，这一奖项的获得，充分印证了长江存储在3D NAND技术领域的重要地位，也体现了国际市场对国产存储芯片技术的高度认可。
不可否认的是，当前全球AI需求爆发、核心硬件成本暴涨，存储芯片正迎来由 AI 驱动的超级周期——中信证券研报表示，受 AI 强劲需求拉动，存储需求将保持高景气度，存储芯片的涨价有望贯穿 2026 年全年并持续带来行业催化。摩根士丹利指出，AI 产业链的瓶颈正从 GPU 转向存储、封装与网络带宽，存储需求的刚性增长将持续至少3-5年。
成立至今，长存集团已完成多轮融资，投资方涵盖国有资本、民营资本、国家集成电路产业投资基金一期及二期等产业资本、五大行等金融资本，以及一众知名VC/PE。
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