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面板级封装,问题来了

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将先进封装工艺从晶圆(wafer)转向面板(panel),乍看之下似乎只是一个几何问题。大型人工智能(AI)和高性能计算(HPC)芯片的封装形式正日益趋向矩形,而其下方的300毫米晶圆却依然是圆形的。随着封装尺寸的增大,越来越多的昂贵加工步骤会落在圆形晶圆的边缘区域——而这些区域实际上无法用于制造任何有效产品。

采用面板则能“找回”这些被浪费的区域。在相同的工艺周期内,面板可以容纳更多的大型封装单元;而且与晶圆不同,面板的尺寸不会对方形或矩形封装的规格造成同样的严格限制。对于尺寸不断增长的先进封装而言,这种经济效益是不容忽视的。

然而,半导体封装行业几十年来一直专注于晶圆加工,而非面板加工。现有的设备、材料、工艺配方、搬运系统以及过程控制方案,全都是围绕圆形工件的几何形状和机械特性而开发设计的。

日月光(ASE)负责HPC应用先进扇出型(fan-out)封装开发的技术总监Teck Chong Lee在最近的一次演讲中指出:“在600毫米面板上进行组装的风险很高,而且我认为目前我们尚不具备执行该工艺所需的全套设备。一种可行的方案是:先在大尺寸的600毫米面板上完成中介层(interposer)的制作,然后将其切割成四块,再分别进行后续的组装和C4工艺处理。这种方法的风险要低得多。”

这种折中方案背后的经济效益十分可观。在同一项研究中,若采用5.5倍光罩尺寸(reticle-size)的中介层,在300毫米晶圆上可产出9个单元,而在300毫米面板上则可产出16个。若将一块600毫米面板切割成四块300毫米的单元进行加工,总产量可达64个;而如果能对完整的600毫米面板进行整体加工,产量则可提升至72个。从纯粹的利用率来看,完整面板的产出量是晶圆的8倍——这一增幅远超两者原始面积约5倍的差距,原因在于矩形面板几乎不会在边缘处造成任何浪费。因此,该工艺流程在能够利用大尺寸优势的环节充分发挥其长处,但在进入组装阶段前又不得不做出一定让步——因为现有的制造基础设施尚无法全程支持这种更大尺寸的规格。这种折中方案恰恰反映了当前正在发生的重大转型:将封装工艺从“晶圆级”转向“面板级”,绝不仅仅是简单地扩大加工尺寸,而是要重新审视并识别出整个工艺流程中,究竟有哪些环节长期以来一直受限于晶圆的固有尺寸。

该工艺流程原本就是围绕晶圆构建的

随着封装尺寸的增大,利用率优势也随之提升。在一项对比中,英特尔代工服务(Intel Foundry)展示了使用 510 × 515 毫米面板的案例:对于尺寸约为 4 倍光罩(reticle)的封装产品,在 300 毫米晶圆上仅能产出约 10 个单元,而在面板上则可产出约 48 个单元。归根结底,晶圆本身存在着更为严格的几何限制——在 300 毫米晶圆上所能容纳的最大正方形,边长仅约为 210 毫米。

英特尔高级首席工程师塔雷克·易卜拉欣(Tarek Ibrahim)在一次会议演讲中表示:“对于某些特定尺寸规格,我们认为晶圆方案更具经济效益。然而,一旦封装尺寸超过一定限度,面板方案的优势便显而易见——最主要的原因在于,面板能够产出更多的封装单元。考虑到人工智能(AI)的发展趋势以及对超大规模系统的需求,面板已成为实现规模化生产的必然选择。”

经济上的可行性并不意味着制造工艺也能直接平移适用。先进封装所采用的许多设备和工艺知识,最初是针对圆形晶圆开发的;而基板形状与尺寸的改变,也随之改变了这些工艺的具体要求。久而久之,许多基于“晶圆”这一特定对象的预设条件已变得习以为常,甚至被人们忽略了——因为底层的加工对象(晶圆)长期未曾改变。那些看似属于工艺本身的要求,实际上往往只是针对晶圆这一载体的要求。

Ibrahim 指出:“在晶圆级,这属于单面加工;而在面板级,实际上变成了双面加工。要在面板这种尺寸规模下进行加工,同时确保良好的均匀性和合适的 Cpk(过程能力指数),无疑是一项巨大的挑战。”

挑战之一在于,原本适用于晶圆的工艺流程,未必能直接平滑地迁移到更大的矩形表面上。例如,旋涂工艺依赖于径向对称性;若用于矩形基板,会导致边角处的薄膜厚度不均匀,且大部分滴加的光刻胶会被甩出浪费掉。在 600mm 面板的工艺流程中,光刻胶通常改用狭缝涂布(slit or slot-die coating)方式,覆盖约 586 × 586mm 的有效区域。光刻环节也发生了变化,在许多面板工艺流程中,无掩模直接成像技术正逐渐取代传统的晶圆步进式光刻机(stepper)。

这些差异进而影响到了相关的材料与设备。在玻璃面板上实现精细线路(Fine-line RDL)时,需要开发新型光刻胶及其涂布方法,加强对套刻精度(overlay control)的管控,并要求设备能够在更大面积范围内保持温度和工艺的一致性。例如,大尺寸加热板本身就成了一个亟待解决的开发难题。随着线宽/线距(line and space)从约 5µm 向 2µm 甚至更小尺寸演进,原本处于封装流程后段的工艺,如今也开始要求达到接近前道制造(front-end)级别的精度。

棘手之处在于,面板级封装无法直接沿用那些为实现高精度而设计的前道制造设备。前道制造的基础设施大多是基于 300mm 圆形晶圆构建的,而传统的基板加工设备则是针对不同的特征尺寸和工艺公差设计的。面板级封装的定位,恰好介于两者之间。最终呈现的方案,与其说是晶圆工艺流程的简单放大,不如说是一种由多种旧有工艺要素拼凑而成的新型制造流程。这种面板方案解决了一个日益棘手的几何尺寸难题,但也随之暴露出,此前基于晶圆工艺所建立的诸多假设——涵盖涂胶、曝光、搬运及均匀性控制等各个环节——在应用于面板时面临着严峻挑战。

良率决定了“有效面积”的上限

支持采用更大尺寸面板,最直观的理由是它能容纳更多的封装单元。但从经济角度来看,真正关键的问题在于最终能产出多少合格的封装产品。

当承载于基板上的芯片价值越高,这一问题就愈发重要。如果一块面板上集成了逻辑芯片和高带宽内存(HBM),那么在封装环节出现故障之前,其上搭载的“已知合格芯片”(KGD)价值可能高达数万美元。在这种情况下,即便良率出现微小的下滑,也足以抵消因单次处理更大面积所带来的成本优势。

Amkor公司负责芯粒(Chiplet)与FCBGA集成业务的副总裁Mike Kelly指出:“晶圆或面板上集成的芯片价值极高;一旦良率受损,导致部分昂贵的芯片报废,那么通过扩大规模所获得的全部经济效益便会荡然无存。缺陷在所难免,因此必须具备完善的修复机制,以避免良率损失。否则,扩大面板尺寸的初衷也就毫无意义了。”

这意味着“返修能力”不再仅仅是应对突发状况的备选方案,而已成为一项必要的设计要求。如果面板无法修复,那么任何局部缺陷所造成的损失,都将与面板上承载的总价值成正比——而这部分价值,恰恰正是采用大尺寸面板所追求的目标。

日月光(ASE)提供的数据直观地展示了其中的权衡:若要保留600mm面板所带来的额外12.5%可用面积,就必须采用这种工艺形式;然而,正如Lee所言,这种形式不仅更难管控,而且目前尚未得到所有必要封装设备的支持。

因此,在制造层面,尺寸最大的面板未必就是最经济的选择。虽然更大的面积能提升单次工艺循环的产出效率,但一旦出现问题,所面临的价值损失风险也随之增加。最终,实际可行的尺寸上限,既取决于几何尺寸,更取决于良率水平。

面板承载着其自身的“历史”

在面板尺度下,良率不仅取决于缺陷密度,还取决于面板在整个工艺流程中表现出的可预测性——因为每一道工序都会改变面板的状态,从而影响后续工序。

在封装制造过程中,材料会经历加热、固化、沉积、电镀和清洗等环节。这些过程会导致尺寸发生偏移、应力累积,材料特性也会随温度和工艺条件而改变。因此,当面板进入下一道工序时,其结构状态已与上一道工序时有所不同。

因此,在面板状态发生变化时进行测量是合理的。然而,随着工件尺寸的增大,这些状态变化也变得更难管控。在晶圆尺度上,数十年的制造经验已明确了特定工艺会引起多大的位移,以及后续工序对这种位移的容忍度。而在面板尺度下,由于面积大幅增加,必须确保这些变化在整个面板范围内保持可预测且均匀;此外,面板工艺往往采用生产历史较短的材料和工艺组合。

使用玻璃基板可以减轻部分此类位移。在模拟两层重布线层(RDL)形成的测试中,研究发现:当基板材料从标准的“高玻璃化转变温度(高Tg)”有机材料,更换为“超低热膨胀系数(超低CTE)”材料,再到玻璃基板时,尺寸稳定性得到了显著提升。

弗劳恩霍夫可靠性与微集成研究所(Fraunhofer IZM)的基板与面板技术组经理拉尔斯·伯彻(Lars Boettcher)在一次会议报告中指出:“标准高Tg材料在‘三西格玛(3σ)’水平下的平均位移约为22微米。超低CTE材料的表现要好得多,且均匀性更佳,但位移仍处于7微米左右。而采用玻璃基板时,表现非常均匀,位移仅在3微米左右——尽管这一数值可能已接近我们所用测量设备的精度极限。”

然而,即便尺寸稳定性有所提升,结构中的其他部分仍可能发生位移。热处理工艺仍会改变芯片(die)的最终位置;在大型面板上,这种位移在不同区域可能存在差异,而非表现为可以通过后续步骤统一校正的单一偏移量。 “玻璃载板刚性较强,且其热膨胀系数(CTE)可与封装中的硅或其他结构相匹配。它非常稳定,表面平整,能够支持精细间距(fine-pitch)工艺,”Brewer Science公司封装解决方案业务开发工程师Hamed Gholami Derami表示,“然而,使用玻璃的一个局限在于,在热处理过程中可能会出现非线性的芯片位移(die shift)。这种位移难以校正,在大尺寸玻璃面板上尤为突出。”

这意味着工艺历程(process history)演变成了一个对准(alignment)问题。芯片在工艺流程初期可能被准确放置,但后续的固化、沉积或其他热处理步骤可能会改变周围结构,导致芯片最终位置发生偏移。后续层必须基于面板在当前时刻的实际状态进行构建,而非仅仅依据原始设计中的坐标数据。

同样的工艺历程也增加了仿真的难度。杨氏模量(Young’s modulus)和剪切模量(shear modulus)等力学性能(用于描述材料在拉伸和剪切载荷下的刚度)会随温度变化;此外,对于较新的玻璃和聚合物体系,往往缺乏像硅材料那样成熟的表征数据。通用参数虽可作为参考起点,但在投入实际生产(消耗材料和占用设备)之前,模型仍需预估各工艺步骤可能引入的应力和翘曲程度。

“在制造失败或良率受损之前,请先进行仿真,不要凭空猜测,”Synopsys公司产品管理负责人Lang Lin建议道,“利用通用参数和通用工艺流程进行仿真,评估各工艺步骤所产生的翘曲和应力,然后再开展实验。”

但通用模型的局限性在于其适用范围有限。要实现精确预测,最终仍取决于堆叠结构中实际材料的特性,包括这些特性如何随温度和工艺过程而变化。其中一些关键数据可能属于专有信息。材料或基板供应商可以在不泄露具体配方或制造细节的前提下,提供足够的表征数据,从而优化仿真模型。

因此,面板制造既是一个建模问题,也是一个反馈问题。每一道工艺都会改变物理结构,进而影响下一道工艺;而测量手段与仿真模型则必须不断跟进这些变化。面板规模越大,若在流程后期才发现早先的某项假设有误,其代价就越昂贵。

对面板进行切割会引发另一个问题

日月光(ASE)采用的“混合格式流程”(mixed-format flow)通过在工艺中引入新的边界来管控这一风险,但前提是这块 600mm 的玻璃面板在被分割成四块较小的面板后,依然能够保持完整。

日月光的 Lee 表示:“从一开始设计 600mm 面板的布局时,就必须考虑到它最终会被分割成四块 300mm 的面板。这并非简单的切割工序,而是包含多个步骤,还需要进行边缘处理以去除锋利的边缘。”

这意味着“切割”成为了上游设计的一个约束条件。面板布局必须预先规划好最终的分割位置;同时,切割工艺必须确保不会产生碎屑或导致边缘受损,否则在后续的组装环节中,这些缺陷可能会引发面板破裂。日月光发现,仅靠切割面板是不够的——分割过程需要经过多道工序,并辅以边缘处理,之后较小的面板才能进入后续的工艺流程。

除了切割边缘,玻璃内部也可能因其他原因而受损。例如,穿透玻璃的通孔(Through-glass vias,简称 TGV)会在材料内部造成应力集中,这是因为铜和玻璃在温度变化时的膨胀率不同。在加热过程中,铜的膨胀速度更快,会向外凸出,从而在周围的玻璃中形成压缩应力集中;而在冷却过程中,铜发生收缩,会拉扯玻璃侧壁,产生拉伸应力,进而可能导致周围材料出现环状裂纹。如何发现这些裂纹,本身就是一个工艺控制难题。

应用材料公司(Applied Materials)先进封装部门的工艺集成工程师 Poulomi Mukherjee 在一次会议演讲中指出:“目前行业内尚无统一标准。我们需要确定什么样的热测试才是合适的,因为要检测出玻璃中的裂纹并非易事。因此,这其中也涉及大量的计量与检测工作。”

正因如此,检测环节也被前移到了上游——这与切割工序前移的原因如出一辙。面板在某道工序中可能看似完好,但实际上边缘已受损或内部已产生裂纹;这些缺陷可能要等到后续经历热循环、搬运或组装操作时,才会真正引发严重后果。而当故障显现时,面板往往已经历了多道加工,其所承载的价值也已大幅增加。一些必要的管控手段目前尚未具备。严重的缺陷可能隐藏在互连结构内部;而材料之间不常见的组合,则会产生一些制造商尚在摸索如何识别的关联性。一套工艺方案在受控的演示环境下或许行之有效,但一旦投入批量生产,跨越不同的批次和多台设备时,就可能出现偏差。

Critical Manufacturing的项目与计划经理Tiago Tavares表示:“在进入大规模生产阶段时,仍有一个学习曲线需要克服。你必须提前部署管控措施;而其中一些管控手段甚至需要从零开始研发,因为目前尚不存在现成的方案。”

因此,面板级封装(Panel-level packaging)在经济效益上的优势,并不仅仅在于能在更大的工件上容纳更多的封装单元。该工艺还必须能够尽早发现损伤,否则,更大的加工面积只会导致在出现废品时造成更昂贵的材料损失。

结论

人们通常设想,面板级封装行业最终会统一采用某种标准的大尺寸规格,并围绕它构建一套设备生态系统——这正如半导体制造业最终统一采用300mm晶圆一样。

日月光(ASE)所采用的“混合规格”策略表明,这一过渡过程或许不会那么整齐划一。当“利用率”成为影响经济效益的关键因素时,600mm面板或许是理想之选;但当良率、搬运或设备可用性变得更为重要时,它可能就不再是最优解了。通过切割面板来缩小尺寸,虽然会牺牲一定的面积利用效率,却能让工件回归到一个更易于管控的制造环境中。

在整个工艺流程的不同环节,可能需要采取不同的方案。例如,涂覆(Coating)和重布线层(RDL)工艺能从更大的加工面积中获益,而组装环节则可能更适合较小的规格。切割(Dicing)工序必须预判后续工艺的需求;检测(Inspection)必须在产品被赋予更多价值之前发现损伤;一旦发现损伤,还必须具备修复的可能性。此外,面板在历经多道工序后所累积的热应力和机械应力,可能会改变后续设备实际处理的对象状态。

多年来,由于设备、材料和工艺假设都已围绕“晶圆”这一载体实现了标准化,许多选择变得“隐形”了。而面板级封装迫使工程师们必须重新审视并明确这些选择。该行业最终或许会实现面板规格的标准化,但在此之前,必须先理清哪些要素属于工艺本身,而哪些要素仅仅是因为长期以来一直以“晶圆”为载体,才被误认为是工艺固有的一部分。

*免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点,不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系半导体行业观察。

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