甘肃
8月4日，研究机构发布了《全球存储追踪》报告，按照2026年二季度各大存储厂商DRAM内存芯片的营收进行了排名，行业加速洗牌，由于中国厂商加速崛起，“存储三国杀”格局或出现调整。
根据机构发布的报告，三星电子在2026年二季度的全球市占率为39%，在DRAM内存芯片赛道重回第一名，要知道去年同期三星被SK海力士反超，跌至行业第二。
三星这一次重回行业榜首，主要原因是DRAM内存芯片价格上涨，以及HBM高带宽内存芯片业务大幅扩张。由于SK海力士在HBM内存领域是行业龙头，也是AI需求极大的存储芯片，三星加快了在HBM业务的投入和产能追加，追赶SK海力士。
在全球DRAM内存市场，SK海力士市占率大跌13%，作为第三名的美光快速逼近，海力士老二的位置开始松动。
根据报告来看，SK海力士二季度全球市占率为26%，而去年同期市占率达到39%，快要逼近整个行业四成的份额，现在已经跌至26%，一年时间失去了13%的市场份额。
事实上，SK海力士的业绩并不差，二季度DRAM内存收入增长214%，但是三星和美光的业绩增速更快。
对于SK海力士来看，原本HBM业务是非常占据优势的，所以最早和多家厂商签订了长期协议，长期协议的优势是锁定了订单，缺点是价格也被锁定，享受不到价格上涨带来的收入增长。
美光原本是行业第三，现在剑指第二，逼近SK海力士。数据显示，2026年二季度美光在DRAM内存芯片市场的全球市占率为25%，与SK海力士只有1%的差距。
美光快速逼近，靠的是DRAM内存收入增长近5倍，背后是二季度DRAM内存芯片价格大幅上涨，美光也在快速扩张产能，发布数据的机构认为美光有望超过SK海力士，成为全球第二大DRAM厂商。
因此，三星电子、SK海力士和美光合计占据全球DRAM内存90%的市场，三家巨头在加快产能扩张的速度，抢占市场，竞争激烈。
但是，全球存储行业出现了新的后起之秀，中国存储厂商长鑫科技，在2026年二季度DRAM内存收入增长716%，成为了全球增速最快的DRAM存储厂商，位居全球第四。
长鑫存储的全球市占率为7%，硬生生在行业三巨头的缝隙中挖掘出属于自己的市场，长鑫二季度收入增速这么高，主要也是因为DRAM内存芯片价格大涨，再加上自身产能扩张，叠加带来了收入猛增。
如今，长鑫存储在DRAM内存芯片方面有了新的技术进步，首次追平三星和SK海力士的技术。
8月初，根据多家媒体的报道，长鑫存储在LPDDR6研发上实现关键突破，进入了研发验证尾声，这意味着距离正式量产只有一步之遥，预计今年下半年量产。
同时期，SK海力士的LPDDR6内存芯片也计划在下半年量产，这是三巨头最快的进度，这意味着长鑫存储在DRAM内存芯片技术上实现了从昔日的“追赶”到现在的“领跑”的突进跨越，首次和行业巨头站在同一起跑线。
要知道，长鑫存储从LPDDR5到新一代LPDDR6的两代技术跨越只用了不到3年时间，而三巨头的两代DRAM技术中间都经历了五六年时间。
另外，苹果公司正在考虑使用长鑫存储的芯片，由于三巨头把大部分产能拿去生产HBM芯片，而DRAM芯片价格大涨，苹果没有了昔日的议价权，面对价格疯涨的DRAM内存芯片，它将目光看向了长鑫存储。
一方面，是为了降低苹果手机的成本，存储芯片涨价会压缩毛利率，增加新的销售渠道，这对长鑫来说是一个好消息；另一方面，苹果此举成为了和三巨头谈判议价的重要筹码。
不管苹果最终是否会使用长鑫的芯片，也并不影响长鑫的扩张步伐，在全球AI大爆发之际，三巨头全力押注HBM芯片，而DRAM芯片短缺，这也给了长鑫一个重要的窗口机会，很明显，长鑫已经快速追了上来。
目前，长鑫在DRAM技术方面已经大幅缩小了与三巨头的差距，但是在HBM高带宽内存芯片方面仍然有差距，HBM是上游云厂商建设AI数据中心离不开的重要存储芯片，需求量极大，这也是这一轮存储厂商能大赚特赚的核心产品。
长鑫的入围，意味着全球DRAM内存市场将从昔日的“三国杀”阶段逐步调整到“四强竞争”。另外，长江存储已经从NAND闪存芯片领域杀入全球第四，市占率13%，中国存储双雄的快速崛起，将深刻改变全球存储行业的格局。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
