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全球领先的存储半导体公司三星电子和SK海力士正加速推进高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术的引入，该技术被誉为“梦寐以求的光刻设备”，旨在抢占下一代超微工艺的先机。两家公司已正式将2028年定为基于高数值孔径极紫外光刻技术的先进DRAM量产的起始年份，同时携手构建“12英寸光掩模”生态系统，这将彻底改变光刻工艺格局，从而开启迈向“下一代人工智能”（Next AI）时代的下一代半导体制造创新。
据半导体行业9月8日消息，三星电子和SK海力士计划于2028年将高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）设备全面应用于其下一代DRAM生产工艺。三星电子一直在认真研发这项技术，并于2025年3月首次将高数值孔径极紫外光刻设备引入韩国；SK海力士也在加速推进技术进步，目标是在2028年实现量产应用。
高数值孔径 EUV 是一种新一代光刻技术，它通过将镜头数值孔径 (NA) 从现有的 0.33 提高到 0.55，实现了更复杂的电路。随着 DRAM 小型化达到极限，这项技术可以显著缩短现有 EUV 工艺中需要多次曝光的多重曝光工艺，使其成为降低工艺复杂性并将产品性能和良率（合格产品的比例）提升到更高水平的关键解决方案。
在推出新一代设备的同时，两家公司也在积极推进光掩模（刻有电路图案的精密模板）标准的重大变革。三星电子已正式加入由ASML牵头的“大型掩模联盟”，共同开发新一代12英寸光掩模；SK海力士也在积极考虑加入该联盟。
过去几十年，6英寸光掩模一直是半导体光刻工艺的标准尺寸，但由于高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）的特性，使用相同的6英寸光掩模会限制一次曝光的面积，从而降低生产效率。将光掩模尺寸扩展到12英寸，可以一次性在晶圆上刻蚀大面积电路，这能够显著提高晶圆厂的生产效率，并创新性地降低芯片制造成本。
这项技术合作进一步巩固了双方在全球半导体价值链上的联盟。三星电子副董事长兼首席执行官全英贤表示：“随着人工智能时代的到来，半导体行业的格局正在发生转变，整个价值链的技术创新变得至关重要。”他还补充道：“我们将进一步加强与ASML的合作，为‘下一代人工智能’奠定技术基础。”
ASML首席执行官Christophe Fouquet也提到三星电子是其核心合作伙伴，并表达了对下一代制造创新的期待。SK海力士也计划通过与全球制造商、设备和材料公司保持密切合作，加快下一代存储器的研发速度。
随着两家韩国半导体巨头同时推进下一代光刻设备和更大尺寸掩模的技术战略举措，预计迈向人工智能时代的全球存储器领导地位之争将进一步升温。
（来源：编译自businesskorea）
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